制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQA140N10

描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 285nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7900pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 375W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 70A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

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