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现货供应INFINEON/英飞凌IKW30N60T IKW30N60T IKW30N60T-ND SP000054887
发布时间: 2017/11/23 17:28:09 | 280 次阅读
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 90A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
功率 - 值 187W
开关能量 1.46mJ
输入类型 标准
栅极电荷 167nC
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 143ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 IKW30N60T
IKW30N60T-ND
SP000054887
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 90A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.05V @ 15V,30A
功率 - 值 187W
开关能量 1.46mJ
输入类型 标准
栅极电荷 167nC
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/254ns
测试条件 400V,30A,10.6 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 143ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 IKW30N60T
IKW30N60T-ND
SP000054887