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供应英飞凌IKW30N60H3 IKW30N60H3-ND SP000703042
发布时间： 2017/11/23 17:38:43 | 314 次阅读
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（值） 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，30A
功率 - 值 187W
开关能量 1.38mJ
输入类型 标准
栅极电荷 165nC
25°C 时 Td（开/关）值 21ns/207ns
测试条件 400V，30A，10.5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 38ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 IKW30N60H3
IKW30N60H3-ND
SP000703042
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（值） 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，30A
功率 - 值 187W
开关能量 1.38mJ
输入类型 标准
栅极电荷 165nC
25°C 时 Td（开/关）值 21ns/207ns
测试条件 400V，30A，10.5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 38ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 IKW30N60H3
IKW30N60H3-ND
SP000703042