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全新 现货 INFINEON/英飞凌 IKZ50N65EH5 SP001160038
发布时间： 2017/11/23 18:21:50 | 278 次阅读
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop™ 5
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 85A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，50A
功率 - 值 273W
开关能量 410μJ（开），190μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 109nC
25°C 时 Td（开/关）值 20ns/250ns
测试条件 400V，25A，12 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 53ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4
供应商器件封装 PG-TO247-4
标准包装 ? 240
其它名称 IKZ50N65EH5
SP001160038
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop™ 5
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 85A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，50A
功率 - 值 273W
开关能量 410μJ（开），190μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 109nC
25°C 时 Td（开/关）值 20ns/250ns
测试条件 400V，25A，12 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 53ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4
供应商器件封装 PG-TO247-4
标准包装 ? 240
其它名称 IKZ50N65EH5
SP001160038