- IC型号
企业档案
产品分类
供应INFINEON/英飞凌INFINEON IKW75N60H3 IGBT 类型 沟槽型场截止
发布时间: 2017/11/23 18:06:05 | 327 次阅读
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 225A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,75A
功率 - 值 428W
开关能量 3mJ(开),1.7mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 470nC
25°C 时 Td(开/关)值 31ns/265ns
测试条件 400V,75A,5.2 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 190ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 225A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,75A
功率 - 值 428W
开关能量 3mJ(开),1.7mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 470nC
25°C 时 Td(开/关)值 31ns/265ns
测试条件 400V,75A,5.2 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 190ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240