制造商零件编号
FF200R12KT4HOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 200A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 320A 1100W Chassis Mount Module


类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 C
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿（值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（值） 320A
功率 - 值 1100W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（值） 5mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块


标准包装 ? 10
其它名称 FF200R12KT4 
FF200R12KT4-ND 
SP000370618