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深圳市鸿裕兴电子有限公司 > 新闻动态 > 供应INFINEON/英飞凌 晶体管 IGBT 模块 FF300R12KT4HOSA1 SP000370607 FF300R12KT4-ND供应INFINEON/英飞凌 晶体管 IGBT 模块 FF300R12KT4HOSA1 SP000370607 FF300R12KT4-ND
发布时间: 2017/11/24 15:39:32 | 343 次阅读
制造商零件编号
FF300R12KT4HOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 300A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 450A 1600W Chassis Mount Module
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 C
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 450A
功率 - 值 1600W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(值) 5mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 19nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 ? 10
其它名称 FF300R12KT4
FF300R12KT4-ND
SP000370607
FF300R12KT4HOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 300A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 450A 1600W Chassis Mount Module
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 C
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 450A
功率 - 值 1600W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(值) 5mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 19nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 ? 10
其它名称 FF300R12KT4
FF300R12KT4-ND
SP000370607