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供应 准现货INFINEON/英飞凌 IKW50N65ES5XKSA1 SP001319682 IGBT 类型 沟道
发布时间： 2017/11/24 15:45:11 | 268 次阅读
制造商零件编号
IKW50N65ES5XKSA1
描述 IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT Trench 650V 80A 274W Through Hole PG-TO247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.7V @ 15V，50A
功率 - 值 274W
开关能量 1.23mJ（开），550μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 120nC
25°C 时 Td（开/关）值 20ns/127ns
测试条件 400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 70ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 SP001319682
IKW50N65ES5XKSA1
描述 IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT Trench 650V 80A 274W Through Hole PG-TO247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.7V @ 15V，50A
功率 - 值 274W
开关能量 1.23mJ（开），550μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 120nC
25°C 时 Td（开/关）值 20ns/127ns
测试条件 400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 70ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标准包装 ? 240
其它名称 SP001319682