制造商零件编号
IPW65R041CFDFKSA1
描述 MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 16 周
详细描述 通孔 N 沟道 650V 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 68.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 8400pF @ 100V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 41 毫欧 @ 33.1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3




标准包装 ? 240
其它名称 IPW65R041CFD 
IPW65R041CFD-ND 
SP000756288