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供应 ST分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单 497-6332-5-ND STW3N150
发布时间: 2017/11/25 15:37:34 | 239 次阅读
Digi-Key 零件编号 497-6332-5-ND
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STW3N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 PowerMESH™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 939pF @ 25V
Vgs(值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(值) 140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 9 欧姆 @ 1.3A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 ? 30
其它名称 497-6332-5
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STW3N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 PowerMESH™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 939pF @ 25V
Vgs(值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(值) 140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 9 欧姆 @ 1.3A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 ? 30
其它名称 497-6332-5