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深圳市鸿裕兴电子有限公司 > 新闻动态 > 供应NGTB40N120SWGOS-ND 分立半导体产品 NGTB40N120SWG晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 NGTB40N120SWGOS供应NGTB40N120SWGOS-ND 分立半导体产品 NGTB40N120SWG晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 NGTB40N120SWGOS
发布时间: 2017/11/28 18:22:10 | 238 次阅读
Digi-Key 零件编号 NGTB40N120SWGOS-ND
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NGTB40N120SWG
描述 IGBT 40A 1200V TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 25 周
详细描述 IGBT Trench 1200V 80A 535W Through Hole TO-247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 - 值 535W
开关能量 3.4mJ(开),1.1mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 313nC
25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 240ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
标准包装 ? 30
其它名称 NGTB40N120SWGOS
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NGTB40N120SWG
描述 IGBT 40A 1200V TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 25 周
详细描述 IGBT Trench 1200V 80A 535W Through Hole TO-247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 - 值 535W
开关能量 3.4mJ(开),1.1mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 313nC
25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 240ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
标准包装 ? 30
其它名称 NGTB40N120SWGOS