Digi-Key 零件编号 FGA60N65SMDFS-ND

制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FGA60N65SMD
描述 IGBT 650V 120A 600W TO3P
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 51 周
详细描述 IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 180A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.5V @ 15V，60A
功率 - 值 600W
开关能量 1.54mJ（开），450μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 189nC
25°C 时 Td（开/关）值 18ns/104ns
测试条件 400V，60A，3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 47ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN
标准包装 ? 30
其它名称 FGA60N65SMD-ND