制造商

IXYS

制造商零件编号

IXFH26N50

描述 MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

详细描述 通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 HiPerFET™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 26A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 160nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 200 毫欧 @ 13A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247AD（IXFH）

封装/外壳 TO-247-3