制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NTTFS4930NTAG

描述 MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 31 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Ta），23A（Tc） 790mW（Ta），20.2W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Ta），23A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5.5nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 476pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 790mW（Ta），20.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 23 毫欧 @ 6A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerWDFN