制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NGTB40N120FL2WG

描述 IGBT 1200V 80A 535W TO247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 17 周

详细描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，40A

功率 - 值 535W

开关能量 3.4mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 313nC

25°C 时 Td（开/关）值 116ns/286ns

测试条件 600V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 240ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247